KI-Rechenzentren brauchen eine neue Stromarchitektur
Infineon liefert Siliziumkarbid-Leistungshalbleiter an Eaton für eine neue Generation von Solid-State-Transformern. Eatons MVSST-2.0-Plattform ist für leistungsdichte KI-Rechenzentren und 800-Volt-Gleichstromarchitekturen ausgelegt.
Der Hintergrund ist ein technisches Problem des KI-Booms, über das deutlich weniger gesprochen wird als über : Rechenzentren müssen immer größere elektrische Leistungen möglichst verlustarm vom Mittelspannungsnetz bis zu den Serverracks bringen. Jede zusätzliche Umwandlungsstufe kostet dabei Energie und erzeugt Wärme.
Was ein Solid-State-Transformer verändert
Solid-State- ersetzen Teile der klassischen Transformator- und Leistungselektronik durch Halbleiter. Dadurch lassen sich Spannung und Strom digitaler und schneller steuern. Eaton zufolge reduziert die neue Architektur die Zahl der Umwandlungsstufen und soll dadurch Effizienz, Leistungsdichte und Flexibilität verbessern.
Infineons Rolle liegt bei den Leistungshalbleitern aus Siliziumkarbid, kurz SiC. Das Material kann bei hohen Spannungen und Schaltfrequenzen geringere Verluste ermöglichen als klassische Siliziumbauteile. Gerade bei Rechenzentren ist das relevant, weil selbst kleine Effizienzgewinne bei dauerhaft hoher Leistung große Energiemengen betreffen.
AI-Infrastruktur ist mehr als GPUs
Die angekündigte Plattform ist zunächst für den Einsatz in der APAC-Region vorgesehen. Eaton und Infineon prüfen zugleich bereits nächste Generationen mit 2,3- und 3,3-Kilovolt-SiC-Modulen.
Damit verschiebt sich ein Teil des Wettbewerbs um KI-Infrastruktur von Prozessoren auf die Stromversorgung. Je höher die Leistungsdichte in Rechenzentren steigt, desto wichtiger werden Transformatoren, Schutztechnik, Kühlung und Leistungshalbleiter – Bereiche, in denen deutsche Industrieunternehmen wie Infineon technologisch direkt an der AI-Infrastruktur beteiligt sind.